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题目:关于PN结说法正确的是（）。
题型:[多选题]
A.利用杂质补偿原理，在P型和N型半导体的界面上形成PN结
B.在PN结的界面上发生载流子的扩散；由于复台作用，界面上载流子被耗尽
C.耗尽层内由于离子带电形成空间电荷区
D.内建电场引起的漂移运动与扩散运动方向相反，最终阻止载流子的进一步移动
参考答案:
更多“关于PN结说法正确的是（）。”相关的问题第1题
二极管内部是一个PN结，关于PN结说法正确的是（）A.PN结面积越大，允许流过的最大电流越大
B.PN结面积越大，允许流过的最大电流越小
C.二极管是利用PN结的单向导电特性制成的
D.二极管的伏安特性与PN结的伏安特性基本一致
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二极管内部是一个PN结，关于PN结说法正确的是（）A.PN结面积越大，允许流过的最大电流越大
B.PN结面积越大，允许流过的最大电流越小
C.二极管是利用PN结的单向导电特性制成的
D.二极管的伏安特性与PN结的伏安特性基本一致
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下列关于测温传感器的说法正确的是（)。A.没有固定要求
B.要想快速测温,应该选用利用PN结形成的集成温度传感器
C.要想快速测温，应该选用热电阻式温度传感器
D.要想快速测温，应该选用热电偶温度传感器
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以下关于PN结特性的说法错误的是A.二极管整流电路利用的是PN结的单向导电特性。
B.PN结的电容效应可用于整流。
C.PN结的反向击穿特性和单向导电特性都可以用于稳压。
D.半导体材料的本征激发特性可用于制造热敏或光敏元件
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14、以下关于PN结特性的说法错误的是（）。A.二极管整流电路利用的是PN结的单向导电特性。
B.PN结的电容效应可用于整流。
C.PN结的反向击穿特性和单向导电特性都可以用于稳压。
D.半导体材料的本征激发特性可用于制造热敏或光敏元件
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关于三极管的内部结构，正确的说法是（）A.三个区，三个PN结，三个电极
B.两个区，两个PN结，两个电极
C.三个区，两个PN结，三个电极
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关于PN结的说法正确的是（)。A.PN结上加正向电压时PN结电阻很高
B.PN结上加负向电压时PN结电阻很低
C.PN结具有单向导电性
D.PN结具有双向导电性
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6、关于三极管下列说法正确的是A.三极管有2个PN结
B.三极管有3个电极
C.三极管的集电极和发射极不能互换
D.三极管有3个PN结
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关于PN结的电容效应，下面描述正确的是：（）A.PN结的电容效包含有势垒电容效应和扩散电容效应
B.利用PN结加反向电压时，势垒电容Cb随反向电压u变化的特性，可制成各种变容二极管
C.PN结电容效应很小，只有在高频交流信号作用下，才会表现出来
D.非平衡少子的电荷量随两端电压的变化而变化，相当于电容的充放电过程，就形成扩散电容
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关于PN结的电容效应，下面描述正确的是：（）A.PN结的电容效包含有势垒电容效应和扩散电容效应。
B.利用PN结加反向电压时，势垒电容Cb随反向电压u变化的特性，可制成各种变容二极管。
C.PN结电容效应很小，只有在高频交流信号作用下，才会表现出来。
D.非平衡少子的电荷量随两端电压的变化而变化，相当于电容的充放电过程，就形成扩散电容。
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