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题目:关于杂质半导体中的载流子浓度说法正确的是（）。
题型:[多选题]
A.多数载流子基本上由掺杂形成，所以多子浓度接近掺杂浓度
B.少数载流子由本征激发形成
C.多子浓度远大于少子浓度
D.若在一块半导体材料中同时掺入施主杂质和受主杂质，则产生杂质补偿作用，杂质半导体的特性由掺杂浓度高的杂质所决定
参考答案:
更多“关于杂质半导体中的载流子浓度说法正确的是（）。”相关的问题第1题
关于杂质半导体中的载流子浓度说法正确的是（）。A.多数载流子基本上由掺杂形成，所以多子浓度接近掺杂浓度
B.少数载流子由本征激发形成
C.多子浓度远大于少子浓度
D.若在一块半导体材料中同时掺入施主杂质和受主杂质，则产生杂质补偿作用，杂质半导体的特性由掺杂浓度高的杂质所决定
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关于不存在杂质补偿的N型半导体中的载流子，以下说法正确的是A.N型半导体的电子浓度近似等于空穴浓度
B.N型半导体中的电子浓度近似等于施主杂质浓度
C.N型半导体中的电子浓度近似等于受主浓度，
D.N型半导体中的空穴浓度近似等于施主浓度
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非杂质补偿的N型半导体中的载流子，以下说法正确的是A.N型半导体中的电子浓度近似等于施主杂质浓度
B.N型半导体的电子浓度近似等于空穴浓度
C.N型半导体中的电子浓度近似等于受主浓度
D.N型半导体中的空穴浓度近似等于施主浓度
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非杂质补偿的N型半导体中的载流子，以下说法正确的是A.N型半导体中的电子浓度近似等于施主杂质浓度
B.N型半导体的电子浓度近似等于空穴浓度
C.N型半导体中的电子浓度近似等于受主浓度
D.N型半导体中的空穴浓度近似等于施主浓度
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2、下列关于杂质半导体的描述有误的是：A.杂质半导体中杂质浓度大于本征载流子浓度。
B.杂质能级上可以容纳两个自旋相反的电子。
C.杂质能级上电子的占据几率可以用标准的费米分布函数来描述。
D.n型半导体中的载流子浓度等于杂质能级上电子的浓度。
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以下关于本征电导描述正确的是A.本质电导是指导带中的电子导电和价带中的空穴导电同时存在
B.本征导电的载流子电子和空穴的浓度不等
C.本征电导的载流子不一定全部是由半导体晶格本身提供
D.低温下，杂质半导体的本征电导起主要作用
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以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是()。A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体E、n型半导体依靠导带电子导电F、p型半导体依靠价带空穴导电G、本征半导体中载流子由本征激发产生H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生L、杂质半导体中也存在本征激发的过程查看答案请关注【快跑搜题】微信公众号，发送题目即可获取第8题
1、以下关于杂质的描述正确的是A.半导体中的杂质会局部的破坏晶格的周期性势场，引起载流子的散射。#B.电离的杂质会引起载流子的散射，从而影响载流子的迁移率。#C.中性杂质不会对半导体产生影响。#D.如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场，所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和。#E.如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于杂质的补偿作用，对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差。#F.如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度，由于杂质的补偿作用，该半导体材料属于本征半导体。#G.杂质会在半导体的禁带中引入能级。#H.如果杂质能级较浅，则杂质易于电离，可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型，如掺入硅中的磷。#I.如果杂质能级较深，则杂质不易于电离，可能形成复合中心或陷阱中心。#J.如果杂质能级（查看答案请关注【快跑搜题】微信公众号，发送题目即可获取第9题
1、下面关于本征半导体的叙述有误的一项是：A.本征半导体中电子浓度与空穴浓度相等。
B.本征半导体中费米能级均处于禁带中线附近。
C.本征半导体中杂质电离对载流子浓度的影响几乎可以忽略。
D.在温度较高进入本征激发区后，半导体材料可以看作本征半导体。
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杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是怎样产生的？为什么杂质半导体中少数载流子的浓度比本征载流子的浓度小？查看答案请关注【快跑搜题】微信公众号，发送题目即可获取
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